![]() ![]() | |
![]() | |
Substància química | tipus d'entitat química ![]() |
---|---|
Massa molecular | 39,977 Da ![]() |
Descobridor o inventor | Edward Goodrich Acheson ![]() |
Rol | material biocompatible ![]() |
Estructura química | |
Fórmula química | SiC ![]() |
SMILES canònic | |
Identificador InChI | Model 3D ![]() |
Propietat | |
Densitat | 3,23 g/L (a 20 °C) ![]() |
Índex de refracció | 2,55 ![]() |
Temperatura de sublimació | 2.700 °C ![]() |
Pressió de vapor | 0 mmHg (a 20 °C) ![]() |
Perill | |
Límit d'exposició mitjana ponderada en el temps | 5 mg/m³ (10 h, Estats Units d'Amèrica) 10 mg/m³ (10 h, cap valor) 15 mg/m³ (8 h, Estats Units d'Amèrica) ![]() |
NFPA 704: Standard System for the Identification of the Hazards of Materials for Emergency Response () ![]() | |
Altres | |
sòlid de xarxa covalent ![]() |
El carbur de silici (SiC) és un material ceràmic de carbur covalent d'estequiometria 1:1 i que té una estructura semblant a la diamant. És gairebé tan dur com el diamant.[1] Per la seva duresa, es fa servir com a abrasiu artificial, conegut amb per la marca comercial de carborúndum,[2] així com a element calefactor en resistències, en reactors, i, com a reforç, en materials compostos.[3] És relativament inert a l'oxidació, ja que en presència d'oxigen forma una capa protectora de SiO2.[3]
El carbur de silici és un material semiconductor (amb una banda prohibida de 2,4 V) i refractari que presenta molts avantatges en dispositius que impliquin treballar en condicions extremes de temperatura, voltatge i freqüència.[2] El carbur de silici pot suportar un gradient de voltatge o de camp elèctric fins a vuit vegades superior al silici o l'arsenur de gal·li sense que rompre's. Aquest elevat valor de camp elèctric de ruptura el fa útil en la fabricació de components que operen a voltatges elevats i a altes energies com per exemple: díodes, transistors, supressors…, i fins i tot dispositius per microones d'alta energia. S'hi suma l'avantatge de poder col·locar una elevada densitat d'empaquetament en els circuits integrats.
Finalment, la duresa de 9 a l'escala de Mohs li proporciona una resistència mecànica que, junt amb les propietats elèctriques, li donen molts beneficis enfront d'altres semiconductors.
© MMXXIII Rich X Search. We shall prevail. All rights reserved. Rich X Search